规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 610mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMN2020LSN-7
仓库库存编号:
DMN2020LSN-7DICT-ND
别名:DMN2020LSN-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 40V 30A POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 39A(Tc) 20W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3G150GNTB
仓库库存编号:
RQ3G150GNTBCT-ND
别名:RQ3G150GNTBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN2028USS-13
仓库库存编号:
DMN2028USS-13DICT-ND
别名:DMN2028USS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),36A(Tc) 1.1W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMN2027UPS-13
仓库库存编号:
DMN2027UPS-13DICT-ND
别名:DMN2027UPS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.8A, 6.3A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC2020USD-13
仓库库存编号:
DMC2020USD-13DICT-ND
别名:DMC2020USD-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17310Q5A
仓库库存编号:
296-25858-1-ND
别名:296-25858-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB40UNE
仓库库存编号:
1727-1475-1-ND
别名:1727-1475-1
568-10946-1
568-10946-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB40UNEZ
仓库库存编号:
PMXB40UNEZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.4A 4.2W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
PMWD20XN,118
仓库库存编号:
568-2362-1-ND
别名:568-2362-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V,
无铅
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