品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB64N25S320ATMA1
仓库库存编号:
IPB64N25S320ATMA1CT-ND
别名:IPB64N25S320ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4104PBFCT-ND
别名:*IRFR4104TRPBF
IRFR4104PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48NPBF-ND
别名:*IRFIZ48NPBF
SP001572624
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP048NPBF
仓库库存编号:
IRFP048NPBF-ND
别名:*IRFP048NPBF
SP001567000
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7746TRPBFCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC014N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC014N06NS
BSC014N06NS-ND
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746PBF
仓库库存编号:
IRFR7746PBF-ND
别名:SP001576124
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS52N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS52N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS52N15DTRLPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB52N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB52N15DPBF-ND
别名:*IRFB52N15DPBF
SP001572332
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 85A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD85P04P407ATMA1
仓库库存编号:
IPD85P04P407ATMA1-ND
别名:SP000842066
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P407ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P407ATMA1-ND
别名:SP000842038
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P04P407AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P04P407AKSA1-ND
别名:SP000842044
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P407AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P407AKSA1-ND
别名:SP000842042
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 56A(Tc) 99W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU7746PBF
仓库库存编号:
IRFU7746PBF-ND
别名:SP001552464
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4104
仓库库存编号:
AUIRFU4104-ND
别名:SP001518784
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 36A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48N
仓库库存编号:
IRFIZ48N-ND
别名:*IRFIZ48N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP048N
仓库库存编号:
IRFP048N-ND
别名:*IRFP048N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TR
仓库库存编号:
IRFR4104TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRL
仓库库存编号:
IRFR4104TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRR
仓库库存编号:
IRFR4104TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4104PBF
仓库库存编号:
IRFU4104PBF-ND
别名:*IRFU4104PBF
SP001578370
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3412PBF
仓库库存编号:
IRFU3412PBF-ND
别名:*IRFU3412PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412PBF
仓库库存编号:
IRFR3412PBF-ND
别名:*IRFR3412PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4104-701PBF
仓库库存编号:
IRFU4104-701PBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3412TRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 89nC @ 10V,
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