品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(108)
分立半导体产品
(108)
筛选品牌
Infineon Technologies (108)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TRR
仓库库存编号:
IRFR2407TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2807Z
仓库库存编号:
IRF2807Z-ND
别名:*IRF2807Z
SP001563202
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262
型号:
IRF2807ZL
仓库库存编号:
IRF2807ZL-ND
别名:*IRF2807ZL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZS
仓库库存编号:
IRF2807ZS-ND
别名:*IRF2807ZS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3205Z
仓库库存编号:
IRF3205Z-ND
别名:*IRF3205Z
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205ZL
仓库库存编号:
IRF3205ZL-ND
别名:*IRF3205ZL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205ZS
仓库库存编号:
IRF3205ZS-ND
别名:*IRF3205ZS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 39A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48VPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48VPBF-ND
别名:*IRFIZ48VPBF
SP001556666
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262
型号:
IRF2807ZLPBF
仓库库存编号:
IRF2807ZLPBF-ND
别名:*IRF2807ZLPBF
SP001553914
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2-07-ND
别名:SP000013578
SPB80N06S207T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2-07
仓库库存编号:
SPI80N06S2-07-ND
别名:SP000013784
SPI80N06S207
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2-07-ND
别名:SP000013579
SPP80N06S207
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3307ZPBF
仓库库存编号:
IRFSL3307ZPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 85A(Tc) 350W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4321PBF
仓库库存编号:
IRFSL4321PBF-ND
别名:SP001550194
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 72A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48VSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48VSTRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S207AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-ND
SP000218817
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S207AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-07
IPP80N06S2-07-ND
SP000218810
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3307ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB3307ZGPBF-ND
别名:SP001551736
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4321GPBF
仓库库存编号:
IRFB4321GPBF-ND
别名:SP001556020
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5250TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5250TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5250TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 28A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5004TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5004TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5004TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S4L05ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4L-05
IPD90N06S4L-05-ND
SP000415588
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S4L05AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S4L05AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4L-05
IPI80N06S4L-05-ND
SP000415692
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号