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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP062NE7N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP062NE7N3GXKSA1-ND
  别名：IPP062NE7N3 G
  IPP062NE7N3 G-ND
  IPP062NE7N3G
  SP000819768
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI111N15N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI111N15N3GAKSA1-ND
  别名：IPI111N15N3 G
  IPI111N15N3 G-ND
  SP000680232
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NM65N
  仓库库存编号：497-7025-5-ND
  别名：497-7025-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 135W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NB90
  仓库库存编号：497-2786-5-ND
  别名：497-2786-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW19NM65N
  仓库库存编号：497-7033-5-ND
  别名：497-7033-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15NM65N
  仓库库存编号：497-7936-1-ND
  别名：497-7936-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI19NM65N
  仓库库存编号：STI19NM65N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF19NM65N
  仓库库存编号：STF19NM65N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 4.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 4.7A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP5N120
  仓库库存编号：497-8811-5-ND
  别名：497-8811-5
  STP5N120-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 69W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF18N50V2
  仓库库存编号：FQPF18N50V2-ND
  别名：Q2658628
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP18N50V2
  仓库库存编号：FQP18N50V2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA18N50V2
  仓库库存编号：FQA18N50V2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH18N50V2
  仓库库存编号：FQH18N50V2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT12F60K
  仓库库存编号：APT12F60K-ND
  别名：APT12F60KMI
  APT12F60KMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 223W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT15F50K
  仓库库存编号：APT15F50K-ND
  别名：APT15F50KMI
  APT15F50KMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5484DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5484DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5484DU-T1-E3CT
  SI5484DUT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8670AS
  仓库库存编号：FDMS8670ASCT-ND
  别名：FDMS8670ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 195W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP11N50CF
  仓库库存编号：FQP11N50CF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC36P15P
  仓库库存编号：IXTC36P15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4967DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4967DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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  MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4967DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4967DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5484DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5484DU-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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  MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ941EP-T1-GE3
  仓库库存编号：SQJ941EP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 3.25W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60N06-12P-E3
  仓库库存编号：SUP60N06-12P-E3-ND
  别名：SUP60N0612PE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 3.25W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60N06-12P-GE3
  仓库库存编号：SUP60N06-12P-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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