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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NF10T4
  仓库库存编号：497-6550-1-ND
  别名：497-6550-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI086N10N3 G
  IPI086N10N3 G-ND
  IPI086N10N3G
  SP000485982
  SP000683070
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN8R2-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4272-1-ND
  别名：1727-4272-1
  568-4904-1
  568-4904-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15883-5-ND
  别名：497-15883-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP111N15N3 G
  仓库库存编号：IPP111N15N3 G-ND
  别名：IPP111N15N3G
  IPP111N15N3GXKSA1
  SP000677860
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH140N6F7-6
  仓库库存编号：497-16971-1-ND
  别名：497-16971-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 64A（Tc） 50W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085P03CV RGG
  仓库库存编号：TSM085P03CV RGGTR-ND
  别名：TSM085P03CV RGGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 64A（Tc） 50W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085P03CV RGG
  仓库库存编号：TSM085P03CV RGGCT-ND
  别名：TSM085P03CV RGGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 64A（Tc） 50W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085P03CV RGG
  仓库库存编号：TSM085P03CV RGGDKR-ND
  别名：TSM085P03CV RGGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA90EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA90EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA90EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD20NF10T4
  仓库库存编号：STD20NF10T4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4185
  仓库库存编号：AOI4185-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 34A TO220FL
  详细描述：通孔 P 沟道 34A（Tc） 33W（Tc） TO-220FL
  
  型号：AOTF4185
  仓库库存编号：AOTF4185-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP113-TL-H
  仓库库存编号：869-1077-2-ND
  别名：869-1077-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A113PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A113PLZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），72A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2608L
  仓库库存编号：785-1437-5-ND
  别名：785-1437-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP36P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP36P04SDG-E1-AYCT
  NP36P04SDGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 72A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），72A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB2608L
  仓库库存编号：785-1470-1-ND
  别名：785-1470-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6018ANJTL
  仓库库存编号：R6018ANJTL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36P15P
  仓库库存编号：IXTH36P15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR36P15P
  仓库库存编号：IXTR36P15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 75W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S5L2R6ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
  别名：SP001418106
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50P03P4L11ATMA1
  仓库库存编号：IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
  别名：IPD50P03P4L-11
  IPD50P03P4L-11-ND
  IPD50P03P4L-11INTR
  IPD50P03P4L-11INTR-ND
  SP000396290
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45P03P4L11ATMA1
  仓库库存编号：IPB45P03P4L11ATMA1-ND
  别名：SP000396276
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N04S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S404ATMA1-ND
  别名：SP000952816
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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