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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名:IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P03P4L07AKSA1-ND
别名:IPP80P03P4L-07
IPP80P03P4L-07-ND
SP000396392
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L11AKSA2-ND
别名:SP001061296
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L11ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L11ATMA2-ND
别名:SP001061398
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P03P4L07AKSA1-ND
别名:IPI80P03P4L-07
IPI80P03P4L-07-ND
SP000396320
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S2L11AKSA2-ND
别名:SP001061396
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S3L12AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3L-12
IPI70N10S3L-12-ND
SP000427250
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3L-12
IPP70N10S3L-12-ND
SP000427252
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 140A(Tc) 161W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB140N08S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB140N08S404ATMA1-ND
别名:SP000989102
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R099CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R099CPAATMA1TR-ND
别名:IPB60R099CPA
IPB60R099CPA-ND
SP000315443
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R099CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R099CPXKSA1-ND
别名:IPI60R099CP
IPI60R099CP-ND
IPI60R099CPAKSA1
SP000297356
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R099CPAAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R099CPAAKSA1-ND
别名:IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-ND
SP000315454
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R099CPAAKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099CPAAKSA1-ND
别名:IPP60R099CPA
IPP60R099CPA-ND
SP000315418
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099CPAFKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099CPAFKSA1-ND
别名:SP000597860
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW34NB20
仓库库存编号:
497-2659-5-ND
别名:497-2659-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14.6A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW15NB50
仓库库存编号:
497-2664-5-ND
别名:497-2664-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
STP45NE06
仓库库存编号:
497-2762-5-ND
别名:497-2762-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10.5A(Tc) 80W(Tc) ISOWATT-218
型号:
STH15NB50FI
仓库库存编号:
497-2783-5-ND
别名:497-2783-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB130NS04ZBT4
仓库库存编号:
STB130NS04ZBT4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 16A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB16NS25T4
仓库库存编号:
STB16NS25T4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STI25NM60ND
仓库库存编号:
STI25NM60ND-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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