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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK755R4-100E,127
仓库库存编号:
1727-7238-ND
别名:1727-7238
568-9845-5
568-9845-5-ND
934066483127
BUK755R4100E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 220A(Tc) 283W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB5860NT4G
仓库库存编号:
NVB5860NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210L
仓库库存编号:
IRF5210L-ND
别名:*IRF5210L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 74A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF4905STRR
仓库库存编号:
IRF4905STRR-ND
别名:SP001561660
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 41A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4905
仓库库存编号:
IRFI4905-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405Z
仓库库存编号:
IRF1405Z-ND
别名:*IRF1405Z
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405ZL
仓库库存编号:
IRF1405ZL-ND
别名:*IRF1405ZL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZS
仓库库存编号:
IRF1405ZS-ND
别名:*IRF1405ZS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 95A(Tc) 310W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP1405
仓库库存编号:
IRFP1405-ND
别名:*IRFP1405
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3307
仓库库存编号:
IRFB3307-ND
别名:*IRFB3307
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 96A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410
仓库库存编号:
IRFB4410-ND
别名:*IRFB4410
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 130A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3307
仓库库存编号:
IRFS3307-ND
别名:*IRFS3307
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 96A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4410
仓库库存编号:
IRFS4410-ND
别名:*IRFS4410
SP001571744
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3307
仓库库存编号:
IRFSL3307-ND
别名:*IRFSL3307
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 96A(Tc) 250W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410
仓库库存编号:
IRFSL4410-ND
别名:*IRFSL4410
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP054NE8NGHKSA2
仓库库存编号:
IPP054NE8NGHKSA2-ND
别名:IPP054NE8N G
IPP054NE8N G-ND
IPP054NE8NGX
IPP054NE8NGXK
SP000096462
SP000680804
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2-07-ND
别名:SP000016355
SPB80N08S207T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N08S2-07
仓库库存编号:
SPI80N08S2-07-ND
别名:SP000013954
SPI80N08S207
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N08S2-07
仓库库存编号:
SPP80N08S2-07-ND
别名:SP000012475
SPP80N08S207
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 88A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410PBF
仓库库存编号:
IRFSL4410PBF-ND
别名:SP001550234
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 150A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1405ZS
仓库库存编号:
AUIRF1405ZS-ND
别名:SP001519512
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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