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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT80N20L
仓库库存编号:
IXTT80N20L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N20Q
仓库库存编号:
IXFH80N20Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N20Q
仓库库存编号:
IXFT80N20Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC25N80C
仓库库存编号:
IXKC25N80C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 27A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP27N60K
仓库库存编号:
IRFP27N60K-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM75-01F
仓库库存编号:
FMM75-01F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Surface Mount ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMK75-01F
仓库库存编号:
FMK75-01F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 76A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N10Q
仓库库存编号:
IXFR80N10Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N085
仓库库存编号:
IXFT80N085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80DDA15T3G
仓库库存编号:
APTC80DDA15T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80DSK15T3G
仓库库存编号:
APTC80DSK15T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
型号:
APTC80H15T1G
仓库库存编号:
APTC80H15T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80H15T3G
仓库库存编号:
APTC80H15T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT20M11JVR
仓库库存编号:
APT20M11JVR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT20M11JVFR
仓库库存编号:
APT20M11JVFR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTC80TA15PG
仓库库存编号:
APTC80TA15PG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTC80TDU15PG
仓库库存编号:
APTC80TDU15PG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP4
型号:
APTC80A15SCTG
仓库库存编号:
APTC80A15SCTG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N08S207AKSA1-ND
别名:IPI80N08S2-07
IPI80N08S2-07-ND
SP000219043
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S207ATMA1TR-ND
别名:IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07-ND
SP000219048
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N08S207AKSA1-ND
别名:IPP80N08S2-07
IPP80N08S2-07-ND
SP000219040
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 150A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1405ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1405ZSTRL-ND
别名:SP001522112
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB4410
仓库库存编号:
AUIRFB4410-ND
别名:SP001516730
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 150A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF1405ZL
仓库库存编号:
AUIRF1405ZL-ND
别名:SP001516578
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 42A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF4905L
仓库库存编号:
AUIRF4905L-ND
别名:SP001521094
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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