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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NTD5865NLT4G
仓库库存编号:
NTD5865NLT4GOSCT-ND
别名:NTD5865NLT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD13AN06A0
仓库库存编号:
FDD13AN06A0CT-ND
别名:FDD13AN06A0CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta),14A(Tc) 42W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD4243
仓库库存编号:
FDD4243CT-ND
别名:FDD4243CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8780
仓库库存编号:
FDD8780CT-ND
别名:FDD8780CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N60ZH
仓库库存编号:
NDF04N60ZHOS-ND
别名:NDF04N60ZH-ND
NDF04N60ZHOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3686S
仓库库存编号:
FDMS3686SCT-ND
别名:FDMS3686SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF9N60NT
仓库库存编号:
FCPF9N60NT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 75W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FCU850N80Z
仓库库存编号:
FCU850N80Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Ta) 40W(Tc) ATPAK
型号:
ATP106-TL-H
仓库库存编号:
869-1075-1-ND
别名:869-1075-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6692A
仓库库存编号:
FDS6692ACT-ND
别名:FDS6692ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3604S
仓库库存编号:
FDMS3604SCT-ND
别名:FDMS3604SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD13AN06A0_F085CT-ND
别名:FDD13AN06A0_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3606S
仓库库存编号:
FDMS3606SCT-ND
别名:FDMS3606SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3668S
仓库库存编号:
FDMS3668SCT-ND
别名:FDMS3668SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3606AS
仓库库存编号:
FDMS3606ASCT-ND
别名:FDMS3606ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3604AS
仓库库存编号:
FDMS3604ASFSCT-ND
别名:FDMS3604ASFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83.3W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP9N60N
仓库库存编号:
FCP9N60N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),54A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8880
仓库库存编号:
FDP8880FS-ND
别名:FDP8880-ND
FDP8880FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N60ZG
仓库库存编号:
NDF04N60ZGOS-ND
别名:NDF04N60ZG-ND
NDF04N60ZGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.3A(Ta),16A(Tc) 2.3W(Ta),29W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7692
仓库库存编号:
FDMC7692CT-ND
别名:FDMC7692CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),46A(Tc) 3.1W(Ta),71W(Tc) DPAK
型号:
SVD5865NLT4G
仓库库存编号:
SVD5865NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5865NLT4GOSCT
NVD5865NLT4GOSCT-ND
SVD5865NLT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3664S
仓库库存编号:
FDMS3664SCT-ND
别名:FDMS3664SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Ta) 60W(Ta) TO-252
型号:
FDD6680AS
仓库库存编号:
FDD6680ASFSCT-ND
别名:FDD6680ASFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),54A(Tc) 55W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8880
仓库库存编号:
FDB8880CT-ND
别名:FDB8880CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta),62A(Tc) 115W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB13AN06A0
仓库库存编号:
FDB13AN06A0CT-ND
别名:FDB13AN06A0CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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