品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3305
仓库库存编号:
IRF3305-ND
别名:*IRF3305
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3305PBF
仓库库存编号:
IRF3305PBF-ND
别名:*IRF3305PBF
AUXNSF3305
AUXNSF3305-ND
SP001576766
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S203
仓库库存编号:
SPP100N03S203-ND
别名:SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2-03-ND
别名:SP000016251
SPB80N03S203T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号:
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名:SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
SPB80N03S203GXT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-06-ND
别名:SP000013577
SPB80N06S2L06T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2-03-ND
别名:SP000013492
SPI100N03S203X
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2-03-ND
别名:SP000016262
SPI80N03S203X
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2-03-ND
别名:SP000012468
SPP80N03S203X
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-06-ND
别名:SP000013576
SPP80N06S2L06
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
64-2105PBF
仓库库存编号:
64-2105PBF-ND
别名:IRF1404ZLPBF
IRF1404ZLPBF-ND
SP001519330
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06-ND
SP000218824
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404ZGPBF
仓库库存编号:
IRF1404ZGPBF-ND
别名:SP001553874
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7779L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7779L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7779L2TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 57A(Tc) 360W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4332-203PBF
仓库库存编号:
IRFP4332-203PBF-ND
别名:SP001556764
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA2-ND
别名:SP001067882
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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