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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12NK80Z
仓库库存编号:
STF12NK80Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NK80Z
仓库库存编号:
497-6737-5-ND
别名:497-6737-5
STP12NK80Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Ta) 100W(Tc) DPAK+
型号:
TK80S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK80S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK80S04K3L(T6L1NQ
TK80S04K3LT6L1NQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA102N15T
仓库库存编号:
IXFA102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA102N15T
仓库库存编号:
IXTA102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP102N15T
仓库库存编号:
IXFP102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH102N15T
仓库库存编号:
IXTH102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH102N15T
仓库库存编号:
IXFH102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 99W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU7546PBF
仓库库存编号:
IRFU7546PBF-ND
别名:SP001571892
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4510PBF
仓库库存编号:
IRFSL4510PBF-ND
别名:SP001552374
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4510TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4510TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4510TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP034N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP034N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227046
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 44A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB407N30NATMA1
仓库库存编号:
IPB407N30NATMA1-ND
别名:SP001273344
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 300V 44A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP410N30NAKSA1
仓库库存编号:
IPP410N30NAKSA1-ND
别名:SP001082134
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 60A Through Hole EPM15
型号:
FD6M045N06
仓库库存编号:
FD6M045N06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Ta) 45W(Tc) TO-220(W)
型号:
TK70D06J1(Q)
仓库库存编号:
TK70D06J1(Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 102A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP102N15T
仓库库存编号:
IXTP102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 102A(Tc) 455W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ102N15T
仓库库存编号:
IXTQ102N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Ta) 2.5W(Ta),220W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4221
仓库库存编号:
2SK4221-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 36A(Tc) 2W(Ta),32W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SJ673-AZ
仓库库存编号:
2SJ673-AZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 24A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 24A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4240
仓库库存编号:
785-1462-1-ND
别名:785-1462-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42.5A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4038DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4038DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4038DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Ta) 2.5W(Ta),220W(Tc) TO-3P-3L
型号:
WPB4001-1E
仓库库存编号:
WPB4001-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP112N06T,127
仓库库存编号:
PHP112N06T,127-ND
别名:934056647127
PHP112N06T
PHP112N06T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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