品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7546PBF
仓库库存编号:
IRFB7546PBF-ND
别名:SP001560262
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSIATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSIATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSIATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB107N20N3 G
仓库库存编号:
IPB107N20N3 GCT-ND
别名:IPB107N20N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB107N20NA
仓库库存编号:
IPB107N20NACT-ND
别名:IPB107N20NACT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP120N20NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N20NFDAKSA1-ND
别名:SP001108122
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20N3 G
仓库库存编号:
IPP110N20N3 G-ND
别名:IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP110N20NA
仓库库存编号:
IPP110N20NA-ND
别名:IPP110N20NAAKSA1
SP000877672
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4510PBF
仓库库存编号:
IRFB4510PBF-ND
别名:SP001566724
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC079N10NSGATMA1CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) TO-263-3
型号:
IPB117N20NFDATMA1
仓库库存编号:
IPB117N20NFDATMA1CT-ND
别名:IPB117N20NFDATMA1-ND
IPB117N20NFDATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB031N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB031N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB031N08N5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC035N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC035N10NS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) DPAK
型号:
IRFR7546TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7546TRPBFCT-ND
别名:IRFR7546TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 99W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU7546PBF
仓库库存编号:
IRFU7546PBF-ND
别名:SP001571892
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4510PBF
仓库库存编号:
IRFSL4510PBF-ND
别名:SP001552374
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4510TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4510TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4510TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP034N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP034N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227046
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 44A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB407N30NATMA1
仓库库存编号:
IPB407N30NATMA1-ND
别名:SP001273344
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 300V 44A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP410N30NAKSA1
仓库库存编号:
IPP410N30NAKSA1-ND
别名:SP001082134
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 11A(Ta),58A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7110TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7110TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7110TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4510GPBF
仓库库存编号:
IRFB4510GPBF-ND
别名:SP001572362
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 87nC @ 10V,
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