品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR462DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7905DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7905DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7905DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3469DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3469DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3469DV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5418DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5418DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5418DU-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ474EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ974EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ974EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 8.9A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7315DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7315DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7315DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF10N40D-E3
仓库库存编号:
SIHF10N40D-E3-ND
别名:SIHF10N40DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta),13A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3127DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3127DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3127DV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ158EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ158EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.3A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4162DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4162DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4162DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3469DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3469DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3469DV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB60EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB60EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB60EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 6.8W(Tc)
型号:
SQ4850EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4850EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4850EY-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ850EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ850EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ850EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7454DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840BPBF
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IRF840BPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740BPBF
仓库库存编号:
IRF740BPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF8N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF8N50D-E3-ND
别名:SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3CT-ND
SIHF8N50DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP8N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP8N50D-E3-ND
别名:SIHP8N50D-E3CT
SIHP8N50D-E3CT-ND
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MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP10N40D-E3
仓库库存编号:
SIHP10N40D-E3-ND
别名:SIHP10N40DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP8N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHP8N50D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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