品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB020N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB020N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPB020N10N5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 172A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 172A(Tc) 230W(Tc) TO-247
型号:
IRFP7537PBF
仓库库存编号:
IRFP7537PBF-ND
别名:SP001564970
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB017N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB017N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPB017N10N5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4110PBF
仓库库存编号:
IRFP4110PBF-ND
别名:AUXUSFP4110
AUXUSFP4110-ND
SP001556724
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4110PBF
仓库库存编号:
IRFB4110PBF-ND
别名:64-0076PBF
64-0076PBF-ND
SP001570598
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4110GPBF
仓库库存编号:
IRFB4110GPBF-ND
别名:SP001556050
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 173A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7537PBF
仓库库存编号:
IRFB7537PBF-ND
别名:64-0102PBF
64-0102PBF-ND
SP001570828
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 173A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7537TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7537TRLPBFCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S302AKSA1-ND
别名:IPP120N04S3-02
IPP120N04S3-02-ND
IPP120N04S302
SP000261228
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP023N10N5AKSA1-ND
别名:SP001120504
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 173A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7537PBF
仓库库存编号:
IRFSL7537PBF-ND
别名:SP001578438
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S302AKSA1-ND
别名:IPI120N04S3-02
IPI120N04S3-02-ND
IPI120N04S302
SP000261225
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MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 375W(Tc) TO-262-3 宽型
型号:
AUIRF3004WL
仓库库存编号:
AUIRF3004WL-ND
别名:SP001517752
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MOSFET N-CH 100V 120A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP4110
仓库库存编号:
AUIRFP4110-ND
别名:SP001517386
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP04CN10NG
仓库库存编号:
IPP04CN10NGIN-ND
别名:IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
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MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI04CN10N G
仓库库存编号:
IPI04CN10N G-ND
别名:SP000398084
SP000680660
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N04S3-02
仓库库存编号:
IPB120N04S3-02CT-ND
别名:IPB120N04S3-02CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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