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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8958
仓库库存编号:
FDS8958-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 12.8W(Tc) TO-126
型号:
FQE10N20CTU
仓库库存编号:
FQE10N20CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTF
仓库库存编号:
FQD10N20CTF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP10N20CTSTU
仓库库存编号:
FQP10N20CTSTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 72W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N20CTM
仓库库存编号:
FQB10N20CTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 72W(Tc) I2PAK
型号:
FQI10N20CTU
仓库库存编号:
FQI10N20CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF18N20V2
仓库库存编号:
FQPF18N20V2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 123W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP18N20V2
仓库库存编号:
FQP18N20V2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90
仓库库存编号:
FQPF3N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N90
仓库库存编号:
FQP3N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 15A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) D-Pak
型号:
FQD18N20V2TF
仓库库存编号:
FQD18N20V2TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N90TU
仓库库存编号:
FQI3N90TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N90TM
仓库库存编号:
FQB3N90TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 40W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF18N20V2YDTU
仓库库存编号:
FQPF18N20V2YDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8962C
仓库库存编号:
FDS8962CCT-ND
别名:FDS8962CCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTM_F080
仓库库存编号:
FQD10N20CTM_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90_NL
仓库库存编号:
FQPF3N90_NL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8004(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPCP8004(TE85LF)CT-ND
别名:TPCP8004(TE85LF)CT
TPCP8004TE85LF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4276DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4276DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4276DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.6A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4831BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4831BDY-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.6A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4831BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4831BDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8009,LQ(O
仓库库存编号:
TPCC8009LQ(O-ND
别名:TPCC8009LQ(O
TPCC8009LQO
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 12A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 12A(Ta),44A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1432A
仓库库存编号:
AOL1432A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),69A(Tc) 770mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C06NT1G-001
仓库库存编号:
NTMFS4C06NT1G-001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2287WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2287WP-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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