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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 114W(Tc) DPAK-3
型号:
NDD60N360U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N360U1T4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF530STRRPBF
仓库库存编号:
IRF530STRRPBFCT-ND
别名:IRF530STRRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z20
仓库库存编号:
IRF9Z20-ND
别名:*IRF9Z20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7956DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7956DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7956DP-T1-E3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100P
仓库库存编号:
IXFP4N100P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100P
仓库库存编号:
IXFA4N100P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM3911TRPBF-ND
别名:SP001575850
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名:IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO604NS2XUMA1
仓库库存编号:
BSO604NS2XUMA1TR-ND
别名:BSO604NS2
BSO604NS2-ND
BSO604NS2NT
BSO604NS2T
BSO604NS2TR
BSO604NS2TR-ND
BSO604NS2XT
SP000396268
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 26A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta), 43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288142
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta), 43W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288154
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4615TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4615TRL-ND
别名:SP001518604
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 620V 4.2A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB5N62K3
仓库库存编号:
497-10953-1-ND
别名:497-10953-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 525V 5A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N52K3
仓库库存编号:
497-11212-1-ND
别名:497-11212-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 525V 5A(Tc) 70W(Tc) TO-220
型号:
STP6N52K3
仓库库存编号:
497-12277-ND
别名:497-12277
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530
仓库库存编号:
IRF530IR-ND
别名:*IRF530
IRF530IR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530S
仓库库存编号:
IRF530S-ND
别名:*IRF530S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRR
仓库库存编号:
IRF530STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRL
仓库库存编号:
IRF530STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2116H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2116H-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC530PBF
仓库库存编号:
IRC530PBF-ND
别名:*IRC530PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11A(Ta),40A(Tc) 40W(Tc) TO-251
型号:
FDU8878
仓库库存编号:
FDU8878-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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