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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD5N62K3
仓库库存编号:
497-10778-1-ND
别名:497-10778-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP7NK40ZFP
仓库库存编号:
STP7NK40ZFP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
STP17N80K5
仓库库存编号:
STP17N80K5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF17N80K5
仓库库存编号:
STF17N80K5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
STB17N80K5
仓库库存编号:
STB17N80K5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1079X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1079X-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB48EP,115
仓库库存编号:
1727-1241-1-ND
别名:1727-1241-1
568-10447-1
568-10447-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),69A(Tc) 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C025NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4C025NT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),69A(Tc) 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C06NBT3G
仓库库存编号:
NTMFS4C06NBT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),69A(Tc) 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C025NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C025NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),69A(Tc) 770mW(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C06NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C06NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C06NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),69A(Tc) 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C06NBT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C06NBT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU10N20CTU
仓库库存编号:
FQU10N20CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta) 29W(Tc) DPAK
型号:
TJ15P04M3,RQ(S
仓库库存编号:
TJ15P04M3RQ(S-ND
别名:TJ15P04M3RQ(S
TJ15P04M3RQS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 3.1W(Ta),37W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C06NTWG
仓库库存编号:
NVTFS4C06NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ844AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ844AEP-T1_GE3-ND
别名:SQJ844AEP-T1-GE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 3.1W(Ta),37W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C06NTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C06NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 3.1W(Ta),37W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C06NWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS4C06NWFTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TP
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP
型号:
SFT1342-W
仓库库存编号:
SFT1342-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta),18A(Tc) 3.1W(Ta),20.8W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7432
仓库库存编号:
785-1503-1-ND
别名:785-1503-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4276DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4276DY-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 3.1W(Ta),37W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C06NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C06NWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4686DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4686DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4686DY-T1-GE3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Ta) 2.1W(Ta), 72W(Tc) TO-220-3
型号:
NDPL070N10BG
仓库库存编号:
NDPL070N10BGOS-ND
别名:NDPL070N10BGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 16A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ160N20TL
仓库库存编号:
RCJ160N20TL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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