规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(157)
分立半导体产品
(157)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (11)
Diodes Incorporated (3)
Infineon Technologies (17)
IXYS (2)
Nexperia USA Inc. (4)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (43)
ON Semiconductor (16)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (2)
STMicroelectronics (21)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
Vishay Siliconix (31)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S4L11AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L11AATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L11AATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN017-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7209-1-ND
别名:1727-7209-1
568-9700-1
568-9700-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX160N20
仓库库存编号:
RCX160N20-ND
别名:RCX160N20CT
RCX160N20CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z20PBF
仓库库存编号:
IRF9Z20PBF-ND
别名:*IRF9Z20PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) I2PAK
型号:
STB4NK60Z-1
仓库库存编号:
497-12536-5-ND
别名:497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 5.0A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N52K3
仓库库存编号:
497-12584-5-ND
别名:497-12584-5
STF6N52K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N62K3
仓库库存编号:
497-12583-5-ND
别名:497-12583-5
STF5N62K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4686DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4686DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4686DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF600N60Z
仓库库存编号:
FCPF600N60Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRLPBF
仓库库存编号:
IRF530STRLPBFCT-ND
别名:IRF530STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF18N20FT
仓库库存编号:
FDPF18N20FT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) TO-220
型号:
FCP600N60Z
仓库库存编号:
FCP600N60Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7272DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7272DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7272DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 38A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3620S
仓库库存编号:
FDMS3620SFSCT-ND
别名:FDMS3620SFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB27S60L
仓库库存编号:
785-1248-1-ND
别名:785-1248-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1342-TL-W
仓库库存编号:
SFT1342-TL-WOSCT-ND
别名:SFT1342-TL-EOSCT
SFT1342-TL-EOSCT-ND
SFT1342-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ916DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ916DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ916DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7998DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7998DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7998DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD4NK60ZT4
仓库库存编号:
497-5889-1-ND
别名:497-5889-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5N62K3
仓库库存编号:
497-10771-5-ND
别名:497-10771-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP4NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5980-5-ND
别名:497-5980-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ728DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ728DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ728DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD4NK60Z-1
仓库库存编号:
STD4NK60Z-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 5W(Ta),37.9W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7686DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7686DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7686DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号