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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NK40Z
仓库库存编号:
497-3200-5-ND
别名:497-3200-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),30A(Tc) 4.2W(Ta),39W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6236
仓库库存编号:
785-1333-1-ND
别名:785-1333-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTM
仓库库存编号:
FQD10N20CTMCT-ND
别名:FQD10N20CTMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN018-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4627-1-ND
别名:1727-4627-1
568-5582-1
568-5582-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD30N6LF6AG
仓库库存编号:
497-16302-1-ND
别名:497-16302-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Ta),16.5A(Tc) 2.1W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC8878
仓库库存编号:
FDMC8878CT-ND
别名:FDMC8878CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8878
仓库库存编号:
FDS8878CT-ND
别名:FDS8878CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.5A 1.28W Surface Mount 8-SO
型号:
DMG6898LSD-13
仓库库存编号:
DMG6898LSD-13DICT-ND
别名:DMG6898LSD-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8978
仓库库存编号:
FDS8978CT-ND
别名:FDS8978CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86102LZ
仓库库存编号:
FDD86102LZFSCT-ND
别名:FDD86102LZFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4615TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FCD600N60Z
仓库库存编号:
FCD600N60ZCT-ND
别名:FCD600N60ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) Power56
型号:
FDMS8680
仓库库存编号:
FDMS8680CT-ND
别名:FDMS8680CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3624S
仓库库存编号:
FDMS3624SCT-ND
别名:FDMS3624SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N20C
仓库库存编号:
FQPF10N20CFS-ND
别名:FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530PBF
仓库库存编号:
IRF530PBF-ND
别名:*IRF530PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NK60Z
仓库库存编号:
497-3191-5-ND
别名:497-3191-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4615PBF
仓库库存编号:
IRFU4615PBF-ND
别名:SP001571872
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-220
型号:
AOT27S60L
仓库库存编号:
785-1252-5-ND
别名:785-1252-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.5W(Ta),10.9W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5459DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5459DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5459DU-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NS
仓库库存编号:
BSZ0902NSCT-ND
别名:BSZ0902NSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3626S
仓库库存编号:
FDMS3626SCT-ND
别名:FDMS3626SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3622S
仓库库存编号:
FDMS3622SCT-ND
别名:FDMS3622SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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