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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2W(Ta), 57W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5824NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5824NLWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) I-Pak
型号:
FCU5N60TU
仓库库存编号:
FCU5N60TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
型号:
FDMD84100
仓库库存编号:
FDMD84100CT-ND
别名:FDMD84100CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF2C03HDR2
仓库库存编号:
MMDF2C03HDR2OSCT-ND
别名:MMDF2C03HDR2OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8958A
仓库库存编号:
FDS8958ACT-ND
别名:FDS8958ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N10TU
仓库库存编号:
FQU13N10TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N10
仓库库存编号:
FQPF13N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10TF
仓库库存编号:
FQD13N10TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB13N10TM
仓库库存编号:
FQB13N10TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) D-Pak
型号:
HUF76609D3S
仓库库存编号:
HUF76609D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76609D3
仓库库存编号:
HUFA76609D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76609D3S
仓库库存编号:
HUFA76609D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76609D3
仓库库存编号:
HUF76609D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF2C03HDR2G
仓库库存编号:
MMDF2C03HDR2GOSCT-ND
别名:MMDF2C03HDR2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TF
仓库库存编号:
FCD5N60TFCT-ND
别名:FCD5N60TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76609D3ST
仓库库存编号:
HUFA76609D3STCT-ND
别名:HUFA76609D3STCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5A(Tc) 47W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF620B_FP001
仓库库存编号:
IRF620B_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.13A(Tc) 2.4W(Ta) SOT-223-4
型号:
IRFM220BTF_FP001
仓库库存编号:
IRFM220BTF_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220BTM_FP001
仓库库存编号:
IRFR220BTM_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
IRFU220BTU_F080
仓库库存编号:
IRFU220BTU_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
IRFU220BTU_FP001
仓库库存编号:
IRFU220BTU_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 57W(Tc) DPAK
型号:
NDD02N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD02N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD02N60ZT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.6A(Tc) 58W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N50ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N50ZT4GOSCT-ND
别名:NDD03N50ZT4GOSCT
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A TP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP
型号:
SFT1446-H
仓库库存编号:
SFT1446-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MVDF2C03HDR2G
仓库库存编号:
MVDF2C03HDR2G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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