品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7119DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7119DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7119DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4946BEY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4946BEY-T1-E3CT-ND
别名:SI4946BEY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4946BEY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4946BEY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4946BEY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.7W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD15N15-95-E3
仓库库存编号:
SUD15N15-95-E3CT-ND
别名:SUD15N15-95-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD024PBF
仓库库存编号:
IRFD024PBF-ND
别名:*IRFD024PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7119DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7119DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7119DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ24PBF
仓库库存编号:
IRFZ24PBF-ND
别名:*IRFZ24PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRPBF
仓库库存编号:
IRFR024PBFCT-ND
别名:*IRFR024TRPBF
IRFR024PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4830CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4830CDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU024PBF
仓库库存编号:
IRFU024PBF-ND
别名:*IRFU024PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB90EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB90EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB90EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
型号:
SI4501BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4501BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4501BDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA96EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA96EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.8A(Tc) 6W(Tc)
型号:
SQ4431EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4431EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4431EY-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4830CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4830CDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ24GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ24GPBF-ND
别名:*IRFIZ24GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ24SPBF
仓库库存编号:
IRFZ24SPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8447DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8447DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8447DB-T2-E1CT
SI8447DBT2E1
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR020TRPBF
仓库库存编号:
IRFR020PBFCT-ND
别名:*IRFR020TRPBF
IRFR020PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7415DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7415DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7415DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7415DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7415DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7415DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.3W(Ta),31.25W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA34DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA34DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA34DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4228DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4228DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4228DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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