品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2908TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR2908TRLPBFCT-ND
别名:IRLR2908TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717TRPBF
仓库库存编号:
IRF3717PBFCT-ND
别名:*IRF3717TRPBF
IRF3717PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103PBF
仓库库存编号:
IRL3103PBF-ND
别名:*IRL3103PBF
SP001571808
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717
仓库库存编号:
IRF3717-ND
别名:*IRF3717
SP001561700
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRLPBF-ND
别名:SP001552534
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.2W(Ta),41W(Tc) DIRECTFET? SC
型号:
AUIRL7732S2TR
仓库库存编号:
AUIRL7732S2TR-ND
别名:SP001521366
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103S
仓库库存编号:
IRL3103S-ND
别名:*IRL3103S
SP001550308
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103L
仓库库存编号:
IRL3103L-ND
别名:*IRL3103L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRL
仓库库存编号:
IRL3103STRL-ND
别名:SP001573698
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRR
仓库库存编号:
IRL3103STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7325
仓库库存编号:
IRF7325-ND
别名:*IRF7325
Q1153815D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7325TR
仓库库存编号:
IRF7325TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717TR
仓库库存编号:
IRF3717TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103SPBF
仓库库存编号:
IRL3103SPBF-ND
别名:*IRL3103SPBF
SP001578512
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103LPBF
仓库库存编号:
IRL3103LPBF-ND
别名:*IRL3103LPBF
SP001573736
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
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MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7325TRPBF
仓库库存编号:
IRF7325PBFCT-ND
别名:*IRF7325TRPBF
IRF7325PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRRPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 30A(Tc) 120W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR2908
仓库库存编号:
AUIRLR2908-ND
别名:SP001518234
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 4.5V,
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