规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),61A(Tc) 4.1W(Ta),118W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD5117PLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5117PLT4G-VF01CT
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 146W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP053N08B_F102
仓库库存编号:
FDP053N08B_F102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 270W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N50F
仓库库存编号:
FDA24N50F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 270W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N50
仓库库存编号:
FDA24N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NT1G-ND
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