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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 550W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH200N10T
仓库库存编号:
IXTH200N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 164A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 164A(Tc) 268W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP047N08
仓库库存编号:
FDP047N08-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 54A(Tc) 330W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR102N65X2
仓库库存编号:
IXTR102N65X2-ND
别名:632316
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRF40H210
仓库库存编号:
IRF40H210CT-ND
别名:IRF40H210CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N10T
仓库库存编号:
IXTQ200N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX102N65X2
仓库库存编号:
IXTX102N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 1040W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK102N65X2
仓库库存编号:
IXTK102N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 76A(Tc) 595AW(Tc) SOT-227
型号:
IXTN102N65X2
仓库库存编号:
IXTN102N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N85X
仓库库存编号:
IXFH50N85X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N85XHV
仓库库存编号:
IXFT50N85XHV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK90Z
仓库库存编号:
497-4421-5-ND
别名:497-4421-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-264
型号:
IXFK50N85X
仓库库存编号:
IXFK50N85X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Ta) 1.5W(Ta),83W(Tc) 8-HVSON(5.4x5.15)
型号:
UPA2765T1A-E2-AY
仓库库存编号:
UPA2765T1A-E2-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT3 75V
详细描述:通孔 N 沟道 164A(Tc) 268W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP047N08_F102
仓库库存编号:
FDP047N08_F102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 156W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF200N10T
仓库库存编号:
IXTF200N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N20P
仓库库存编号:
IXTQ120N20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH120N20P
仓库库存编号:
IXFH120N20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N20P
仓库库存编号:
IXTK120N20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N20P
仓库库存编号:
IXFK120N20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10T
仓库库存编号:
IXTN200N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA200N085T
仓库库存编号:
IXTA200N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA200N085T7
仓库库存编号:
IXTA200N085T7-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 101A(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC200N10T
仓库库存编号:
IXTC200N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH200N085T
仓库库存编号:
IXTH200N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 85V 112A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXTL2X200N085T
仓库库存编号:
IXTL2X200N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V,
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