品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03LS G
仓库库存编号:
BSZ130N03LSGINCT-ND
别名:BSZ130N03LSGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名:SPD08P06PGBTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R950C6
仓库库存编号:
IPB60R950C6CT-ND
别名:IPB60R950C6CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R950C6
仓库库存编号:
IPP60R950C6-ND
别名:IPP60R950C6XKSA1
SP000629364
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K0CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_55/60V
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD15N06S2L64ATMA2
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
别名:IPD15N06S2L64ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R950C6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 26W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R950C6
仓库库存编号:
IPA60R950C6-ND
别名:IPA60R950C6XKSA1
SP000629360
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606074
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606040
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606036
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R360P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R360P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R360P7SATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 46W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R365P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R365P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R365P7AUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7SAUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606068
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001369532
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 61W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA2-ND
别名:SP001396378
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名:SP001292888
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2
型号:
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.1A(Ta),14.4A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7665S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7665S2TR-ND
别名:SP001519440
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU08P06P
仓库库存编号:
SPU08P06PIN-ND
别名:SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6665TR1PBFCT-ND
别名:IRF6665TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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