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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 33W(Tc) D-Pak
型号:
STD5N20LT4
仓库库存编号:
497-4335-1-ND
别名:497-4335-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT7N10LTF
仓库库存编号:
FQT7N10LTFCT-ND
别名:FQT7N10LTFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) DPAK
型号:
BUK92150-55A,118
仓库库存编号:
1727-3929-1-ND
别名:1727-3929-1
568-4281-1
568-4281-1-ND
BUK92150-55A /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N10LTM
仓库库存编号:
FQD7N10LTMCT-ND
别名:FQD7N10LTMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 36W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M53-60EX
仓库库存编号:
1727-2583-1-ND
别名:1727-2583-1
568-13027-1
568-13027-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM1002N TR
仓库库存编号:
CXDM1002N CT-ND
别名:CXDM1002N CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RSQ030P03TR
仓库库存编号:
RSQ030P03CT-ND
别名:RSQ030P03CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 330mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8B01(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8B01(TE85LFMCT-ND
别名:TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.5A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N10L
仓库库存编号:
FQPF7N10L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7N10LTU
仓库库存编号:
FQU7N10LTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N10L
仓库库存编号:
FQP7N10L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N10LTF
仓库库存编号:
FQD7N10LTF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N10LTU
仓库库存编号:
FQI7N10LTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N10LTM
仓库库存编号:
FQB7N10LTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 5V,
无铅
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