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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 53W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP20N06TSTU
仓库库存编号:
FQP20N06TSTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16.8A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD20N06TF
仓库库存编号:
FQD20N06TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TF
仓库库存编号:
FQD8P10TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 6.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU8N25TU
仓库库存编号:
FQU8N25TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17N08
仓库库存编号:
FQP17N08-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 6.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8N25TF
仓库库存编号:
FQD8N25TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI8P10TU
仓库库存编号:
FQI8P10TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 3.75W(Ta),53W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB20N06TM
仓库库存编号:
FQB20N06TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 80V 11.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17N08
仓库库存编号:
FQPF17N08-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76409D3S
仓库库存编号:
HUFA76409D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76409D3
仓库库存编号:
HUFA76409D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 3.13W(Ta),65W(Tc) I2PAK
型号:
FQI17N08TU
仓库库存编号:
FQI17N08TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 3.13W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB17N08TM
仓库库存编号:
FQB17N08TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Tc) 40W(Tc) TO-251AA
型号:
RFD12N06RLE
仓库库存编号:
RFD12N06RLE-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76409P3
仓库库存编号:
HUFA76409P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.13W(Ta),87W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N25TM
仓库库存编号:
FQB8N25TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N80TU
仓库库存编号:
FQU2N80TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N90TU
仓库库存编号:
FQU2N90TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.4A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N90
仓库库存编号:
FQPF2N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N80TF
仓库库存编号:
FQD2N80TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N80TU
仓库库存编号:
FQI2N80TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N90TU
仓库库存编号:
FQI2N90TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N90TM
仓库库存编号:
FQB2N90TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N80TM
仓库库存编号:
FQB2N80TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TF
仓库库存编号:
FQD2N90TFCT-ND
别名:FQD2N90TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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