规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120Z
仓库库存编号:
IRFU120Z-ND
别名:*IRFU120Z
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTR
仓库库存编号:
IRFR120ZTR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRL
仓库库存编号:
IRFR120ZTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120ZPBF
仓库库存编号:
IRFU120ZPBF-ND
别名:*IRFU120ZPBF
SP001578408
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP615S2L
仓库库存编号:
BSP615S2L-ND
别名:BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD800N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD800N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD800N06NG
IPD800N06NGINCT
IPD800N06NGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N03L G
仓库库存编号:
IPP147N03LGIN-ND
别名:IPP147N03LGIN
IPP147N03LGXK
SP000266315
SP000680874
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS135N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS135N03LGAKMA1-ND
别名:IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N03L G
仓库库存编号:
IPU135N03LGIN-ND
别名:IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名:IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR120Z
仓库库存编号:
AUIRFR120Z-ND
别名:SP001516680
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),35A(Tc) 3.2W(Ta),27W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8337TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8337TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8337TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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