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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 1.2A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1P50TF
仓库库存编号:
FQD1P50TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 1.2A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1P50TM
仓库库存编号:
FQD1P50TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 500V 1.5A(Tc) 63W(Tc) TO-220
型号:
FQP1P50
仓库库存编号:
FQP1P50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 4A(Tc) 3.13W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4P25TM
仓库库存编号:
FQB4P25TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 500V 1.5A(Tc) 3.13W(Ta),63W(Tc) I2PAK
型号:
FQI1P50TU
仓库库存编号:
FQI1P50TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N60CTU
仓库库存编号:
FQU3N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 2.4W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP2955
仓库库存编号:
NTP2955-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N60CTM
仓库库存编号:
FQB3N60CTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 4A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6354-TL-H
仓库库存编号:
CPH6354-TL-HOSCT-ND
别名:CPH6354-TL-HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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