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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19536KTTT
  仓库库存编号：296-41136-1-ND
  别名：296-41136-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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  含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19536KCS
  仓库库存编号：296-37289-5-ND
  别名：296-37289-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76645S3ST_F085
  仓库库存编号：HUFA76645S3ST_F085CT-ND
  别名：HUFA76645S3ST_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 156W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18510Q5BT
  仓库库存编号：296-46567-1-ND
  别名：296-46567-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR403EDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR403EDP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.3A（Ta） 3.1W（Ta），6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4491EDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4491EDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA90DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA90DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA90DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA90DP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 85A（Ta） 1.5W（Ta） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2739T1A-E2-AY
  仓库库存编号：UPA2739T1A-E2-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19536KTT
  仓库库存编号：CSD19536KTT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM08TAM04PG
  仓库库存编号：APTM08TAM04PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76645S3S
  仓库库存编号：HUF76645S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76645P3
  仓库库存编号：HUF76645P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76645S3S
  仓库库存编号：HUFA76645S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76645P3
  仓库库存编号：HUFA76645P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM08TDUM04PG
  仓库库存编号：APTM08TDUM04PG-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFJ32N50Q
  仓库库存编号：IXFJ32N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67.5A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN5R0-100XS,127
  仓库库存编号：568-9760-5-ND
  别名：568-9760-5
  934066039127
  PSMN5R0-100XS,127-ND
  PSMN5R0-100XS127
  PSMN5R0100XS127
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70.4A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN4R6-100XS,127
  仓库库存编号：568-10158-5-ND
  别名：568-10158
  568-10158-5
  568-10158-ND
  934067065127
  PSMN4R6-100XS,127-ND
  PSMN4R6100XS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V,
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