规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRR
仓库库存编号:
IRL3103D1STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3202L
仓库库存编号:
IRL3202L-ND
别名:*IRL3202L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ7064N
仓库库存编号:
FDZ7064N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1053DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1053DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1053DPB-00#J5CT
RJK1053DPB00J5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1
仓库库存编号:
IRL3103D1-ND
别名:*IRL3103D1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1S
仓库库存编号:
IRL3103D1S-ND
别名:*IRL3103D1S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3202S
仓库库存编号:
IRL3202S-ND
别名:*IRL3202S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRL
仓库库存编号:
IRL3103D1STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3202STRR
仓库库存编号:
IRL3202STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3202PBF
仓库库存编号:
IRL3202PBF-ND
别名:*IRL3202PBF
SP001571790
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1PBF
仓库库存编号:
IRL3103D1PBF-ND
别名:*IRL3103D1PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRLP
仓库库存编号:
IRL3103D1STRLPCT-ND
别名:IRL3103D1STRLPCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 4.5V,
无铅
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