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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF51N25
仓库库存编号:
FDPF51N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5670
仓库库存编号:
FDS5670CT-ND
别名:FDS5670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-247
型号:
FQH8N100C
仓库库存编号:
FQH8N100C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA8N100C
仓库库存编号:
FQA8N100CFS-ND
别名:FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 37.9W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF16N60
仓库库存编号:
FCPF16N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP16N60
仓库库存编号:
FCP16N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta),82A(Tc) 3.1W(Ta),96W(Tc) DPAK
型号:
NVD5863NLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5863NLT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4GOSCT
NVD5863NLT4GOSCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF51N25YDTU
仓库库存编号:
FDPF51N25YDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
FCP130N60
仓库库存编号:
FCP130N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 278W(Tc) TO-247
型号:
FCH130N60
仓库库存编号:
FCH130N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
NDP6060
仓库库存编号:
NDP6060-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 320W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP51N25
仓库库存编号:
FDP51N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLAFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C430NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C430NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C430NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFAFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLAFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFAFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF51N25RDTU
仓库库存编号:
FDPF51N25RDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB6060
仓库库存编号:
NDB6060TR-ND
别名:NDB6060TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 830mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4404NR2
仓库库存编号:
NTMS4404NR2OSCT-ND
别名:NTMS4404NR2OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 167W(Tc) TO-3P
型号:
FCA16N60
仓库库存编号:
FCA16N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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