品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L-02
仓库库存编号:
IPD90N03S4L-02CT-ND
别名:IPD90N03S4L-02CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4610TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4610TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4610TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610PBF
仓库库存编号:
IRFB4610PBF-ND
别名:*IRFB4610PBF
SP001570704
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB61N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB61N15DPBF-ND
别名:*IRFB61N15DPBF
SP001560242
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB42N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB42N20DPBF-ND
别名:*IRFB42N20DPBF
SP001560222
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L-03
仓库库存编号:
IPP80N03S4L-03-ND
别名:IPP80N03S4L03
IPP80N03S4L03AKSA1
SP000275328
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S5L1R1ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R1ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R1ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名:IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名:SP001102598
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名:SP000915592
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB4610
仓库库存编号:
AUIRFB4610-ND
别名:SP001515858
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-1
型号:
IPI120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102584
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102564
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 44A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB42N20D
仓库库存编号:
IRFB42N20D-ND
别名:*IRFB42N20D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610
仓库库存编号:
IRFB4610-ND
别名:*IRFB4610
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4610
仓库库存编号:
IRFS4610-ND
别名:*IRFS4610
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610
仓库库存编号:
IRFSL4610-ND
别名:*IRFSL4610
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610PBF
仓库库存编号:
IRFSL4610PBF-ND
别名:*IRFSL4610PBF
SP001578448
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 95A(Tc) 3.8W(Ta),210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1312PBF
仓库库存编号:
IRF1312PBF-ND
别名:*IRF1312PBF
SP001564478
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4610
仓库库存编号:
AUIRFS4610-ND
别名:SP001522872
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
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