品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta),90A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R500C3
仓库库存编号:
IPA90R500C3-ND
别名:IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190CFD
仓库库存编号:
IPW65R190CFD-ND
别名:IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP052NE7N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP052NE7N3GXKSA1-ND
别名:IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R500C3
仓库库存编号:
IPW90R500C3-ND
别名:IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049NE7N3 G
仓库库存编号:
IPB049NE7N3 GCT-ND
别名:IPB049NE7N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190CFD
仓库库存编号:
IPA65R190CFD-ND
别名:IPA65R190CFDXKSA1
SP000905382
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF40B207
仓库库存编号:
IRF40B207-ND
别名:SP001564728
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R500C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R500C3XKSA1-ND
别名:IPP90R500C3
IPP90R500C3-ND
SP000413746
SP000683100
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S2L06ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LSI
仓库库存编号:
BSC011N03LSICT-ND
别名:BSC011N03LSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFD
仓库库存编号:
IPB65R190CFDCT-ND
别名:IPB65R190CFDCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP072N10N3 G
IPP072N10N3 G-ND
IPP072N10N3G
SP000680830
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名:IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名:SP001101896
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 144W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N08S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N08S405ATMA1-ND
别名:SP000984282
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI072N10N3 G
IPI072N10N3 G-ND
IPI072N10N3G
SP000469900
SP000680674
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 16.6A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名:SP000949256
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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