品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(25)
分立半导体产品
(25)
筛选品牌
Vishay Siliconix (25)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR158DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR158DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR158DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-15-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-15-E3CT-ND
别名:SUD50P04-15-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP57N20-33-E3
仓库库存编号:
SUP57N20-33-E3-ND
别名:SUP57N2033E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE40PBF
仓库库存编号:
IRFPE40PBF-ND
别名:*IRFPE40PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 220W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP17N50LPBF
仓库库存编号:
IRFP17N50LPBF-ND
别名:*IRFP17N50LPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N50LPBF
仓库库存编号:
IRFB17N50LPBF-ND
别名:*IRFB17N50LPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 37W(Tc)
型号:
SIHF30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF30N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF30N60E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG30N60E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc)
型号:
SIHP30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP30N60E-GE3CT-ND
别名:SIHP30N60E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM65N20-30-E3
仓库库存编号:
SUM65N20-30-E3CT-ND
别名:SUM65N20-30-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW30N60E-GE3-ND
别名:SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB30N60E-GE3-ND
别名:SIHB30N60EGE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 55A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ423EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ423EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR798DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR798DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR158DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR158DP-T1-RE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N04-4M5L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-4M5L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50N04-4M0L_GE3
仓库库存编号:
SQM50N04-4M0L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM35N30-97_GE3
仓库库存编号:
SQM35N30-97_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG30N60E-E3-ND
别名:SIHG30N60EE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.4A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE40
仓库库存编号:
IRFPE40-ND
别名:*IRFPE40
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 16A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N50L
仓库库存编号:
IRFB17N50L-ND
别名:*IRFB17N50L
Q1082842
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 16A(Tc) 220W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP17N50L
仓库库存编号:
IRFP17N50L-ND
别名:*IRFP17N50L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 40V 65A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP65P04-15-E3
仓库库存编号:
SUP65P04-15-E3-ND
别名:SUP65P0415E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP30N60E-E3-ND
别名:SIHP30N60EE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB30N60E-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号