品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) D3 [S]
型号:
APT47N60SC3G
仓库库存编号:
APT47N60SC3G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT29F100B2
仓库库存编号:
APT29F100B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT24M120L
仓库库存编号:
APT24M120L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT31M100L
仓库库存编号:
APT31M100L-ND
别名:APT31M100LMP
APT31M100LMP-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT24M120B2
仓库库存编号:
APT24M120B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N60BC3G
仓库库存编号:
APT47N60BC3G-ND
别名:APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT38F80L
仓库库存编号:
APT38F80L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT22F120B2
仓库库存编号:
APT22F120B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT21M100J
仓库库存编号:
APT21M100J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 481W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT77N60BC6
仓库库存编号:
APT77N60BC6-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19F100J
仓库库存编号:
APT19F100J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 77A(Tc) 481W(Tc) D3Pak
型号:
APT77N60SC6
仓库库存编号:
APT77N60SC6-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N65BC3G
仓库库存编号:
APT47N65BC3G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 43A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT41M80L
仓库库存编号:
APT41M80L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 43A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT41M80B2
仓库库存编号:
APT41M80B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT31M100B2
仓库库存编号:
APT31M100B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 41A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT38F80B2
仓库库存编号:
APT38F80B2-ND
别名:APT38F80B2MI
APT38F80B2MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT29F100L
仓库库存编号:
APT29F100L-ND
别名:APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 23A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT22F120L
仓库库存编号:
APT22F120L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
型号:
APTM100H46FT3G
仓库库存编号:
APTM100H46FT3G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP1
型号:
APTM100A46FT1G
仓库库存编号:
APTM100A46FT1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
型号:
APTM120A80FT1G
仓库库存编号:
APTM120A80FT1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA68T1G
仓库库存编号:
APTM120DA68T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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