品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL014PBFCT-ND
别名:*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014PBF
仓库库存编号:
IRFD014PBF-ND
别名:*IRFD014PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14PBF
仓库库存编号:
IRFZ14PBF-ND
别名:*IRFZ14PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14SPBF
仓库库存编号:
IRFZ14SPBF-ND
别名:IRFZ14SPBFCT
IRFZ14SPBFCT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5936DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5936DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5936DU-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9010PBF
仓库库存编号:
IRFD9010PBF-ND
别名:*IRFD9010PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU014PBF
仓库库存编号:
IRFU014PBF-ND
别名:*IRFU014PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ14GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ14GPBF-ND
别名:*IRFIZ14GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TRPBF
仓库库存编号:
IRFR014TRPBFCT-ND
别名:*IRFR014TRPBF
IRFR014PBFCT
IRFR014PBFCT-ND
IRFR014TRPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS481ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQS481ENW-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 2.4W(Ta),4.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4102DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4102DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4102DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610PBF
仓库库存编号:
IRF9610PBF-ND
别名:*IRF9610PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ10PBF
仓库库存编号:
IRFZ10PBF-ND
别名:*IRFZ10PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610SPBF
仓库库存编号:
IRF9610SPBF-ND
别名:IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ14STRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9010
仓库库存编号:
IRFD9010-ND
别名:*IRFD9010
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610
仓库库存编号:
IRF9610-ND
别名:*IRF9610
IRF9611
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014
仓库库存编号:
IRFR014-ND
别名:*IRFR014
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14
仓库库存编号:
IRFZ14-ND
别名:*IRFZ14
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610S
仓库库存编号:
IRF9610S-ND
别名:*IRF9610S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014
仓库库存编号:
IRFD014-ND
别名:*IRFD014
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ14G
仓库库存编号:
IRFIZ14G-ND
别名:*IRFIZ14G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014
仓库库存编号:
IRFL014-ND
别名:*IRFL014
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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