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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP6NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5956-5-ND
别名:497-5956-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NK60Z
仓库库存编号:
497-3198-5-ND
别名:497-3198-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STB6NK60Z-1
仓库库存编号:
497-5955-5-ND
别名:497-5955-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N12F7
仓库库存编号:
STL100N12F7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB6NK60ZT4
仓库库存编号:
497-12537-1-ND
别名:497-12537-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF24NM60N
仓库库存编号:
497-11868-5-ND
别名:497-11868-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW8NK80Z
仓库库存编号:
497-12807-5-ND
别名:497-12807-5
STW8NK80Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB24NM60N
仓库库存编号:
497-11211-1-ND
别名:497-11211-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 105V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD464
仓库库存编号:
785-1567-1-ND
别名:785-1567-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y8R7-60EX
仓库库存编号:
1727-1806-1-ND
别名:1727-1806-1
568-11420-1
568-11420-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 105V 5.8A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 105V 5.8A(Ta),26A(Tc) 2.2W(Ta),43W(Tc) TO-220FL
型号:
AOTF404
仓库库存编号:
AOTF404-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34STRLPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA70N075T2
仓库库存编号:
IXTA70N075T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA32P05T
仓库库存编号:
IXTA32P05T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY32P05T
仓库库存编号:
IXTY32P05T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK10J80E,S1E
仓库库存编号:
TK10J80ES1E-ND
别名:TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSTRLPBF-ND
别名:SP001571826
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ34G
仓库库存编号:
IRFIZ34G-ND
别名:*IRFIZ34G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34
仓库库存编号:
IRFZ34-ND
别名:*IRFZ34
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ34L
仓库库存编号:
IRFZ34L-ND
别名:*IRFZ34L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34S
仓库库存编号:
IRFZ34S-ND
别名:*IRFZ34S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRL
仓库库存编号:
IRFZ34STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRR
仓库库存编号:
IRFZ34STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
详细描述:通孔 P 沟道 35V 3.3A(Ta),12A(Tc) 1.5W(Ta),20W(Tc) TO-220-3
型号:
ZXM64P035L3
仓库库存编号:
ZXM64P035L3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 35V 3.8A(Ta),5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM64P035GTA
仓库库存编号:
ZXM64P035GCT-ND
别名:ZXM64P035GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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