品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N04NS GCT
BSC030N04NS GCT-ND
BSC030N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7473TRPBF
仓库库存编号:
IRF7473PBFCT-ND
别名:*IRF7473TRPBF
IRF7473PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044NPBF
仓库库存编号:
IRFP044NPBF-ND
别名:*IRFP044NPBF
SP001571098
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) SuperSO8
型号:
BSC014N04LS
仓库库存编号:
BSC014N04LSCT-ND
别名:BSC014N04LS-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044N
仓库库存编号:
IRFP044N-ND
别名:*IRFP044N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ46N
仓库库存编号:
IRFIZ46N-ND
别名:*IRFIZ46N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ46NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ46NPBF-ND
别名:*IRFIZ46NPBF
SP001578084
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V,
无铅
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