品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(16)
分立半导体产品
(16)
筛选品牌
Vishay Siliconix (16)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG14N50D-E3
仓库库存编号:
SIHG14N50D-E3-ND
别名:SIHG14N50DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF12N60E-E3-ND
别名:SIHF12N60EE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60E-GE3-ND
别名:SIHB12N60EGE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP12N60E-GE3-ND
别名:SIHP12N60E-GE3CT
SIHP12N60E-GE3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF12N60E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA12N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA12N60E-E3-ND
别名:SIHA12N60E-E3CT
SIHA12N60E-E3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ910EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ910EL-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 6.8W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4435EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4435EY-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB12N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60ET1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB12N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60ET5-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP12N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP12N60E-E3-ND
别名:SIHP12N60EE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP14N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP14N50D-E3-ND
别名:SIHP14N50DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP14N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHP14N50D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG14N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHG14N50D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4190DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4190DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4190DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号