品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5410PBFCT-ND
别名:*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC084P03NS3 G
仓库库存编号:
BSC084P03NS3 GCT-ND
别名:BSC084P03NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5410PBF
仓库库存编号:
IRFU5410PBF-ND
别名:*IRFU5410PBF
SP001557796
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5410TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5410TRLCT-ND
别名:AUIRFR5410TRLCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC037N08NS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP12CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9530NSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 14A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530NPBF
仓库库存编号:
IRF9530NPBF-ND
别名:*IRF9530NPBF
SP001570634
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NS
仓库库存编号:
IRF9530NS-ND
别名:*IRF9530NS
SP001555896
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) TO-262
型号:
IRF9530NL
仓库库存编号:
IRF9530NL-ND
别名:*IRF9530NL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NSTRR
仓库库存编号:
IRF9530NSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5410
仓库库存编号:
IRFU5410-ND
别名:*IRFU5410
SP001576322
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TR
仓库库存编号:
IRFR5410TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRL
仓库库存编号:
IRFR5410TRL-ND
别名:SP001567628
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRR
仓库库存编号:
IRFR5410TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
详细描述:通孔 N 沟道 100V 69A(Tc) 125W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS12CN10LGBKMA1
仓库库存编号:
IPS12CN10LGBKMA1-ND
别名:IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 58nC @ 10V,
无铅
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