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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2670
仓库库存编号:
FDS2670CT-ND
别名:FDS2670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 27A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP27P06
仓库库存编号:
FQP27P06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),27A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS2572
仓库库存编号:
FDMS2572CT-ND
别名:FDMS2572CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 17A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF27P06
仓库库存编号:
FQPF27P06FS-ND
别名:FQPF27P06-ND
FQPF27P06FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),79A(Tc) 920mW(Ta),43W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4936NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4936NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4936NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP65N06
仓库库存编号:
FDP65N06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Ta) 800mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS7N03R2G
仓库库存编号:
NTMS7N03R2GOSCT-ND
别名:NTMS7N03R2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 65W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD050N03B
仓库库存编号:
FDD050N03BCT-ND
别名:FDD050N03BCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB27P06TM
仓库库存编号:
FQB27P06TMCT-ND
别名:FQB27P06TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),20A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC8462
仓库库存编号:
FDMC8462CT-ND
别名:FDMC8462CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N65FL1
仓库库存编号:
FCPF380N65FL1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),79A(Tc) 920mW(Ta),43W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4936NCT1G
仓库库存编号:
NTMFS4936NCT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),79A(Tc) 920mW(Ta),43W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4936NCT3G
仓库库存编号:
NTMFS4936NCT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8N 40V N-CHANNEL LL POWERTRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD9410L_F085
仓库库存编号:
FDD9410L_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
HUF76629D3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76629D3ST_F085CT-ND
别名:HUF76629D3ST_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
40V DUAL AUTO N-CH POWER TRENCH
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A (Tc) 75W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
型号:
FDWS9420_F085
仓库库存编号:
FDWS9420_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.6A(Ta) 3.2W(Ta),70W(Tc) TO-252
型号:
FDD2670
仓库库存编号:
FDD2670CT-ND
别名:FDD2670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.8A(Ta) 800mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS7N03R2
仓库库存编号:
NTMS7N03R2OS-ND
别名:NTMS7N03R2OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 27A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) I2PAK
型号:
FQI27P06TU
仓库库存编号:
FQI27P06TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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