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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5482DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5482DU-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR646DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR646DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR646DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 136W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6413ANT4G
仓库库存编号:
NVB6413ANT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 24A DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),85A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6786_001
仓库库存编号:
AON6786_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7495TR
仓库库存编号:
IRF7495TR-ND
别名:SP001559948
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2607Z
仓库库存编号:
IRFR2607Z-ND
别名:*IRFR2607Z
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2607ZPBF
仓库库存编号:
IRFU2607ZPBF-ND
别名:SP001576352
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS031N03L G
仓库库存编号:
IPS031N03LGIN-ND
别名:IPS031N03LGIN
IPS031N03LGXK
SP000256160
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03M G
仓库库存编号:
IPD031N03M GINCT-ND
别名:IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2607Z
仓库库存编号:
AUIRFR2607Z-ND
别名:SP001517366
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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