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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQM25N15-52_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19N20-90-T4-E3
仓库库存编号:
SUD19N20-90-T4-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),37A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2552_F085
仓库库存编号:
FDB2552_F085CT-ND
别名:FDB2552_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ12N80P
仓库库存编号:
IXFQ12N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N80P
仓库库存编号:
IXFH12N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R080P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R080P7XKSA1-ND
别名:SP001658398
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 129W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R080P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R080P7XKSA1-ND
别名:SP001647034
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 129W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R080P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R080P7XKSA1-ND
别名:SP001647040
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236957
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7495TRPBF
仓库库存编号:
IRF7495TRPBFCT-ND
别名:*IRF7495TRPBF
IRF7495PBFCT
IRF7495PBFCT-ND
IRF7495TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2607ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR2607ZTRPBF-ND
别名:SP001556874
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2607ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR2607ZTRL-ND
别名:SP001518630
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 525V 10A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N52K3
仓库库存编号:
497-11864-5-ND
别名:497-11864-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL11N50A
仓库库存编号:
IRFSL11N50A-ND
别名:*IRFSL11N50A
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ7064AS
仓库库存编号:
FDZ7064AS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF33N10
仓库库存编号:
FQAF33N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 163W(Tc) TO-3P
型号:
FQA33N10
仓库库存编号:
FQA33N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12.1A(Tc) 3.13W(Ta),179W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12N50TM_AM002
仓库库存编号:
FQB12N50TM_AM002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12.1A(Tc) 3.13W(Ta),179W(Tc) I2PAK
型号:
FQI12N50TU
仓库库存编号:
FQI12N50TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC12N80P
仓库库存编号:
IXFC12N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 360W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N80P
仓库库存编号:
IXFV12N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 12A(Tc) 360W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N80PS
仓库库存编号:
IXFV12N80PS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5482DU-T1-E3
仓库库存编号:
SI5482DU-T1-E3CT-ND
别名:SI5482DU-T1-E3CT
SI5482DUT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 76A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD5803NT4G
仓库库存编号:
NTD5803NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP6413ANG
仓库库存编号:
NTP6413ANGOS-ND
别名:NTP6413ANG-ND
NTP6413ANGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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