规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TM
仓库库存编号:
FQD2N100TMCT-ND
别名:FQD2N100TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8KA4TB
仓库库存编号:
SH8KA4TBCT-ND
别名:SH8KA4TBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 8A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号:
QH8MA4TCR
仓库库存编号:
QH8MA4TCRCT-ND
别名:QH8MA4TCRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STDLED623
仓库库存编号:
STDLED623-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STULED623
仓库库存编号:
STULED623-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N100TU
仓库库存编号:
FQU2N100TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N100P
仓库库存编号:
IXTY1N100P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N100P
仓库库存编号:
IXTA1N100P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N100P
仓库库存编号:
IXTP1N100P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO612CVGHUMA1
仓库库存编号:
BSO612CVGHUMA1TR-ND
别名:BSO612CV G
BSO612CV G-ND
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGT
BSO612CVGXT
BSO612CVT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVXTINTR-ND
SP000216307
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD1HNC60T4
仓库库存编号:
497-2485-1-ND
别名:497-2485-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TF
仓库库存编号:
FQD2N100TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO612CV
仓库库存编号:
BSO612CVINCT-ND
别名:BSO612CVINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V,
含铅
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