品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD200N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD200N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD200N15N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N15N3 G
仓库库存编号:
IPB200N15N3 GCT-ND
别名:IPB200N15N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP200N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP200N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD25CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD25CN10NGATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.9A(Tc) 126W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R255P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R255P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R255P6AUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R299CPXKSA1-ND
别名:IPP50R299CP
IPP50R299CPIN
IPP50R299CPIN-ND
IPP50R299CPXK
SP000680938
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S4L06ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),90A(Tc) 3.6W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8324TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8324TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8324TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP055N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP055N03LGXKSA1-ND
别名:IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N80C3
仓库库存编号:
SPP04N80C3IN-ND
别名:SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.8A(Tc) 126W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R230P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R230P6XKSA1-ND
别名:SP001017064
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.8A(Tc) 33W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R230P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R230P6XKSA1-ND
别名:SP001017078
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA80R1K0CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA2-ND
别名:SP001313392
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R299CPXKSA1-ND
别名:IPI50R299CP
IPI50R299CP-ND
SP000523748
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 16.8A(Tc) 126W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R230P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R230P6FKSA1-ND
别名:SP001017088
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
别名:IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N80C3
仓库库存编号:
SPA04N80C3IN-ND
别名:SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254716
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 13A(Ta),50A(Tc) 2.8W(Ta), 42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB104N08NP3GXUSA1
仓库库存编号:
BSB104N08NP3GXUSA1-ND
别名:SP001164330
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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