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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252
型号:
FDD306P
仓库库存编号:
FDD306PCT-ND
别名:FDD306PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME910PZT
仓库库存编号:
FDME910PZTCT-ND
别名:FDME910PZTCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC645N
仓库库存编号:
FDC645NCT-ND
别名:FDC645NCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.1W Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
型号:
FDZ2554PZ
仓库库存编号:
FDZ2554PZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02R
仓库库存编号:
NTD95N02R-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) I-Pak
型号:
NTD95N02R-001
仓库库存编号:
NTD95N02R-001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) I-Pak
型号:
NTD95N02R-1G
仓库库存编号:
NTD95N02R-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02RG
仓库库存编号:
NTD95N02RG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02RT4
仓库库存编号:
NTD95N02RT4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02RT4G
仓库库存编号:
NTD95N02RT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD3808N-1G
仓库库存编号:
NTD3808N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD3808N-35G
仓库库存编号:
NTD3808N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) DPAK
型号:
NTD3808NT4G
仓库库存编号:
NTD3808NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 4.6A(Ta) 970mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS1135PT1G
仓库库存编号:
NTGS1135PT1G-ND
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