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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NWFAFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NAFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N80
仓库库存编号:
785-1441-5-ND
别名:785-1441-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NWFAFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-247
型号:
AOK8N80L
仓库库存编号:
785-1450-5-ND
别名:785-1450-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 245W(Tc) TO-247
型号:
AOK8N80
仓库库存编号:
AOK8N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N80PM
仓库库存编号:
IXFP7N80PM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP10N60P
仓库库存编号:
IXFP10N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10N60PM
仓库库存编号:
IXTP10N60PM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA10N60P
仓库库存编号:
IXTA10N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N80P
仓库库存编号:
IXFA7N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10N60P
仓库库存编号:
IXTP10N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N80P
仓库库存编号:
IXFP7N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名:SP001061722
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ028N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ028N04LSATMA1-ND
别名:SP001067016
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5505TRL-ND
别名:SP001519572
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R380CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R380CEXKSA1-ND
别名:SP001391616
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08N50C3
仓库库存编号:
SPD08N50C3INCT-ND
别名:SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 70A(Tc) 58W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N04S406AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N04S406AKSA1-ND
别名:IPP70N04S4-06
IPP70N04S4-06-ND
SP000711480
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA060N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA060N06NXKSA1-ND
别名:SP001099646
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680984
SPI08N50C3
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
SPI08N50C3IN-ND
SPI08N50C3X
SPI08N50C3XK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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