品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5505PBFCT-ND
别名:*IRFR5505TRPBF
IRFR5505PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NSI
仓库库存编号:
BSC0902NSICT-ND
别名:BSC0902NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505PBF
仓库库存编号:
IRFU5505PBF-ND
别名:*IRFU5505PBF
SP001557786
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD75N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD75N04S406ATMA1CT-ND
别名:IPD75N04S406ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC026N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC026N04LSATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R420CFD
仓库库存编号:
IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R199CP
仓库库存编号:
IPL60R199CPCT-ND
别名:IPL60R199CPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.3A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R400CEXKSA1-ND
别名:SP001276040
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R380C6
仓库库存编号:
IPA60R380C6-ND
别名:IPA60R380C6XKSA1
SP000660632
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681038
SPP08N50C3
SPP08N50C3IN
SPP08N50C3IN-ND
SPP08N50C3X
SPP08N50C3X-ND
SPP08N50C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380E6XKSA1-ND
别名:IPP60R380E6
IPP60R380E6-ND
SP000795310
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380C6
仓库库存编号:
IPP60R380C6-ND
别名:IPP60R380C6XKSA1
SP000645062
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N04S406ATMA1CT-ND
别名:IPB70N04S406ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 58W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N04S406AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N04S406AKSA1-ND
别名:IPI70N04S4-06
IPI70N04S4-06-ND
SP000711484
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R380E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R380E6XKSA1-ND
别名:IPA60R380E6
IPA60R380E6-ND
SP000795300
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R380C6
仓库库存编号:
IPB60R380C6CT-ND
别名:IPB60R380C6CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380C6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R400CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R400CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R400CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA08N50C3
仓库库存编号:
SPA08N50C3IN-ND
别名:SP000216306
SPA08N50C3IN
SPA08N50C3X
SPA08N50C3XK
SPA08N50C3XKSA1
SPA08N50C3XTIN
SPA08N50C3XTIN-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta),18A(Tc) 2.7W(Ta),45W(Tc) DIRECTFET? M2
型号:
AUIRF7675M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7675M2CT-ND
别名:AUIRF7675M2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名:SP001061722
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ028N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ028N04LSATMA1-ND
别名:SP001067016
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5505TRL-ND
别名:SP001519572
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R380CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R380CEXKSA1-ND
别名:SP001391616
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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