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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 15A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP244
仓库库存编号:
IRFP244-ND
别名:*IRFP244
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP440
仓库库存编号:
IRFP440-ND
别名:*IRFP440
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740S
仓库库存编号:
IRF740S-ND
别名:*IRF740S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840S
仓库库存编号:
IRF840S-ND
别名:*IRF840S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740STRL
仓库库存编号:
IRF740STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840L
仓库库存编号:
IRF840L-ND
别名:*IRF840L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740STRR
仓库库存编号:
IRF740STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840STRL
仓库库存编号:
IRF840STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840STRR
仓库库存编号:
IRF840STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60CT
仓库库存编号:
FQPF12N60CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60C
仓库库存编号:
FQPF12N60C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 3.13W(Ta),225W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12N60CTM
仓库库存编号:
FQB12N60CTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 3.13W(Ta),225W(Tc) I2PAK
型号:
FQI12N60CTU
仓库库存编号:
FQI12N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 650V 16A(Tc) 260W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA15N65
仓库库存编号:
FDA15N65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 52A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF52N20T
仓库库存编号:
FDPF52N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 24A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS8670
仓库库存编号:
FDMS8670CT-ND
别名:FDMS8670CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP15N65
仓库库存编号:
FDP15N65-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF15N65YDTU
仓库库存编号:
FDPF15N65YDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6688AS
仓库库存编号:
FDS6688ASCT-ND
别名:FDS6688ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3407DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3407DV-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFet 双
型号:
SI5429DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5429DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5429DU-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUK-S18-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262-3
型号:
NP60N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04NUK-S18-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP60N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04VUK-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055MUK-S18-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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